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入榜《2026年CNPPIGBT十大品牌榜中榜名錄》的有：infineon英飛凌、starpower、中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、Mitsubishi三菱、比亞迪半導(dǎo)體、富士電機(jī)、onsemi安森美、士蘭微電子Silan、華潤(rùn)微電子、揚(yáng)杰YJ。最新IGBT十大品牌排行榜由CN10排排榜技術(shù)研究部門(mén)和CNPP品牌數(shù)據(jù)研究部門(mén)共同發(fā)布，是通過(guò)專(zhuān)業(yè)獨(dú)立調(diào)研測(cè)評(píng)、AI人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、資料統(tǒng)計(jì)分析后客觀呈現(xiàn)的真實(shí)結(jié)果，不是認(rèn)定認(rèn)證，不是競(jìng)價(jià)排名，不是表彰評(píng)選，不是評(píng)價(jià)評(píng)比，排序不分先后，僅供參考。
2026
IGBT10大品牌

  • infineon英飛凌

    英飛凌科技(中國(guó))有限公司
    • 發(fā)源地：德國(guó)
    • 成立時(shí)間：2003
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    成立于1999年，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域先進(jìn)的半導(dǎo)體科技公司，專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)IGBT組件、分立器件、智能卡芯片和功率半導(dǎo)體產(chǎn)品等產(chǎn)品，為汽車(chē)和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案，其產(chǎn)品...更多>>
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  • starpower

    斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司
    • 發(fā)源地：嘉興市
    • 成立時(shí)間：2005
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    斯達(dá)半導(dǎo)是國(guó)內(nèi)知名的功率半導(dǎo)體芯片和模塊研發(fā)及生產(chǎn)商。公司深耕IGBT技術(shù)領(lǐng)域多年，其高性能模塊在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)了一定的市場(chǎng)份額，目前產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于新能源、工業(yè)控制、家電及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域，有力推動(dòng)了...更多>>
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  • 中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體

    株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司
    • 發(fā)源地：株洲市
    • 成立時(shí)間：1959
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    中車(chē)時(shí)代電氣旗下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)營(yíng)企業(yè)，2008年戰(zhàn)略并購(gòu)英國(guó)丹尼克斯公司，是業(yè)內(nèi)同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM模式企業(yè)代表，擁有芯片設(shè)計(jì)、制造—模塊封裝—測(cè)試—...更多>>
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  • 4

    Mitsubishi三菱

    三菱電機(jī)(中國(guó))有限公司
    • 發(fā)源地：日本
    • 成立時(shí)間：1921
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：1個(gè)
    源自1921年日本，全球頗具影響力的多元化產(chǎn)業(yè)集團(tuán)，專(zhuān)注于面向樓宇、工廠、家庭等場(chǎng)景提供空調(diào)冷熱系統(tǒng)，電力設(shè)備，社會(huì)公共設(shè)施及企業(yè)可視化節(jié)能系統(tǒng)等業(yè)務(wù)的綜合性企業(yè)。三菱電機(jī)擁有從社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施到家用產(chǎn)品...更多>>
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  • 5

    比亞迪半導(dǎo)體

    比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司
    • 發(fā)源地：深圳市
    • 成立時(shí)間：2004
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    比亞迪半導(dǎo)體是比亞迪旗下高效、智能、集成新型半導(dǎo)體企業(yè)，以車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體為核心，業(yè)務(wù)同步輻射工業(yè)、家電、新能源等領(lǐng)域，作為一家擁有從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝與測(cè)試到系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用的半導(dǎo)體廠商，比亞迪半導(dǎo)...更多>>
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  • 6

    富士電機(jī)

    富士電機(jī)(中國(guó))有限公司
    • 發(fā)源地：日本
    • 成立時(shí)間：1923
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：1個(gè)
    富士電機(jī)始創(chuàng)于1923年，是日本一家國(guó)際性電氣設(shè)備制造商和分銷(xiāo)商，主要開(kāi)展電力電子系統(tǒng)能源、電力電子系統(tǒng)、能源工業(yè)、電子設(shè)備、食品和飲料分銷(xiāo)以及發(fā)電五個(gè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)，提供驅(qū)動(dòng)控制器、不間斷電源、自動(dòng)化及儀...更多>>
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  • 7

    onsemi安森美

    安森美半導(dǎo)體公司
    • 發(fā)源地：美國(guó)
    • 成立時(shí)間：
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    安森美（onsemi）前身摩托羅拉半導(dǎo)體元件部門(mén)，于1999年分拆獨(dú)立上市，于2016年收購(gòu)仙童半導(dǎo)體（Fairchild），現(xiàn)已成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，在SiC功率元件、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域具備領(lǐng)先...更多>>
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  • 8

    士蘭微電子Silan

    杭州士蘭微電子股份有限公司
    • 發(fā)源地：杭州市
    • 成立時(shí)間：1997
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    士蘭微始于1997年，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，其技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等各項(xiàng)指標(biāo)居于國(guó)內(nèi)同行前列，作為國(guó)內(nèi)極具規(guī)模和多產(chǎn)品技術(shù)門(mén)類(lèi)的IDM企業(yè)之一，士蘭微在功率...更多>>
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  • 9

    華潤(rùn)微電子

    無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司
    • 發(fā)源地：無(wú)錫市
    • 成立時(shí)間：1983
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    華潤(rùn)集團(tuán)旗下大型綜合性半導(dǎo)體企業(yè)，作為一家擁有芯片設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的IDM半導(dǎo)體企業(yè)，華潤(rùn)微電子在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，...更多>>
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  • 10

    揚(yáng)杰YJ

    揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
    • 發(fā)源地：揚(yáng)州市
    • 成立時(shí)間：2000
    • 點(diǎn)亮榮譽(yù)勛章：0個(gè)
    源自2000年，半導(dǎo)體功率器件行業(yè)翹楚，集單晶硅片制造、芯片設(shè)計(jì)制造、器件設(shè)計(jì)封裝測(cè)試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體的高科技企業(yè)（股票代碼：300373）。揚(yáng)杰科技目前主要實(shí)施雙品牌+雙循環(huán)的戰(zhàn)略...更多>>
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本榜單文章由 十大品牌網(wǎng)榜單研究員226號(hào) 上傳提供 2026-01-10
知識(shí)點(diǎn)

1、在應(yīng)用層面根據(jù)電壓等級(jí)劃分

（1）低壓IGBT：指電壓等級(jí)在1000V以?xún)?nèi)的IGBT器件，例如常見(jiàn)的650V應(yīng)用于新能源汽車(chē)、家電、工業(yè)變頻等領(lǐng)域。

（2）中壓IGBT：指電壓等級(jí)在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件，如1200V應(yīng)用于光伏、電磁爐、家電、焊機(jī)、工業(yè)變頻器和新能源汽車(chē)領(lǐng)域，1700V應(yīng)用于光伏和風(fēng)電領(lǐng)域。

（3）高壓IGBT：指電壓等級(jí)3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應(yīng)用于高鐵、動(dòng)車(chē)、智能電網(wǎng)，以及工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。

2、在產(chǎn)品層面根據(jù)封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝規(guī)模較小，一般指封裝單顆IGBT芯片，電流通常在50A以下，適用于消費(fèi)、工業(yè)家電領(lǐng)域。

（2）IGBT模塊：IGBT最常見(jiàn)的形式，是將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起，功率更大、散熱能力更強(qiáng)，適用于高壓大功率平臺(tái)，如新能源車(chē)、光伏、高鐵等。

（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個(gè)功能較為完整和復(fù)雜的智能功率模塊。

3、根據(jù)是否具有N 緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱(chēng)PT-IGBT、非對(duì)稱(chēng)IGBT，在發(fā)射極接觸處具有N 區(qū)，具有不對(duì)稱(chēng)的電壓阻斷能力，即正向和反向擊穿電壓不同。非對(duì)稱(chēng)IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓，同時(shí)具有更快的切換速度。穿通IGBT是單向的，不能處理反向電壓。因此，它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中。

（2）非穿通IGBT：又稱(chēng)NPT-IGBT、對(duì)稱(chēng)IGBT，它沒(méi)有由發(fā)射極接觸額外的N 區(qū)域，結(jié)構(gòu)的對(duì)稱(chēng)性提供了對(duì)稱(chēng)的擊穿電壓特性，即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個(gè)原因，它們被用于交流電路。

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